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图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62128EV30LL-45SXIT
库存编号3257352RL
也称为SP005641811, CY62128EV30LL-45SXIT
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储器容量1Mbit
存储密度1Mbit
SRAM 内存配置128K x 8位
记忆配置128K x 8位
电源电压范围2.2V 至 3.6V
封装类型SOIC
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数32引脚
存取时间45ns
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62128EV30LL-45SXIT是一款高性能CMOS静态RAM模块,采用128K字×8位结构。该器件通过先进电路设计实现超低工作电流,是便携式应用中提供MoBL®功能的理想选择。其自动断电功能可在地址未切换时显著降低功耗。进入待机模式时,未选通状态下功耗可降低99%以上。当器件未选通、输出禁用或进行写操作时,八个输入输出引脚均置于高阻抗状态。写入操作需将芯片使能与写使能输入置为低电平。此时数据将写入地址引脚指定位置的八个I/O引脚。读取操作需将芯片使能与输出使能置低,同时强制写使能置高。在此条件下,地址引脚指定的存储单元内容将出现在I/O引脚上。
- 极高速度:45ns
- 2.2V至3.6V宽电压范围
- 与CY62128DV30引脚兼容
- 待机电流超低:1µA(典型值)
- 超低功耗,典型工作电流:f = 1MHz 时为 1.3mA
- 通过低电平有效CE1/CE2与低电平有效OE功能实现便捷内存扩展
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS),实现最佳速度和功耗
- 90纳米工艺技术
- 工作温度范围:-40°C至85°C
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
存储密度
1Mbit
记忆配置
128K x 8位
封装类型
SOIC
针脚数
32引脚
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储器容量
1Mbit
SRAM 内存配置
128K x 8位
电源电压范围
2.2V 至 3.6V
IC 外壳 / 封装
SOIC
存取时间
45ns
电源电压最大值
3.6V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423245
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0001