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CY62148ELL-45ZSXI
SRAM, 异步SRAM, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP-II, 32 引脚, 4.5 V
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 25+ | CNY59.790 (CNY67.5627) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62148ELL-45ZSXI
库存编号2767916
也称为SP005647699, CY62148ELL-45ZSXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度4Mbit
记忆配置512K x 8位
IC 外壳 / 封装TSOP-II
针脚数32引脚
电源电压最小值4.5V
电源电压最大值5.5V
额定电源电压5V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62148ELL-45ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，采用512K字×8位结构。该器件采用先进电路设计，可提供超低待机电流，是便携式应用中实现更长电池寿命™（MoBL®）的理想选择。该器件还具备自动断电功能，在地址未切换时可显著降低功耗。当器件处于待机模式（低电平有效CE高电平）时，功耗可降低99%以上。当器件未被选中（低电平有效CE高电平）、输出禁用（低电平有效OE高电平）或处于有效写入操作期间（低电平有效CE低电平和低电平有效WE低电平）时，八个输入/输出引脚（I/O0至I/O7）将处于高阻抗状态。该器件适用于与TTL输入/输出电平的处理器进行接口连接。
- 极高速度：45ns
- 电压范围为 4.5V 至 5.5V
- 与CY62148B引脚兼容
- 工业级最大待机电流为7µA
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 3.5mA
- 利用低电平有效 CE 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS)，实现最佳速度和功耗
- 32 引脚 TSOP II 封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
512K x 8位
针脚数
32引脚
电源电压最大值
5.5V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
4Mbit
IC 外壳 / 封装
TSOP-II
电源电压最小值
4.5V
额定电源电压
5V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
CY62148ELL-45ZSXI 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.2.b
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004282