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CY62187EV30LL-55BAXI
SRAM, 异步SRAM, 64 Mbit, 4M x 16位, FBGA, 48 引脚, 2.2 V
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|---|---|
| 1+ | CNY570.990 (CNY645.2187) |
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| 10+ | CNY568.980 (CNY642.9474) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号CY62187EV30LL-55BAXI
库存编号2768029
也称为SP005641993, CY62187EV30LL-55BAXI
技术数据表
SRAM类型异步SRAM
存储密度64Mbit
记忆配置4M x 16位
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数48引脚
电源电压最小值2.2V
电源电压最大值3.7V
额定电源电压3V
时钟频率最大值-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
CY62187EV30LL-55BAXI是一款高性能CMOS静态RAM，组织为4M字×16位。该器件采用先进电路设计实现超低工作电流，是手机等便携设备实现"延长电池寿命™（MoBL®）"的理想选择。该器件还具备自动断电功能，当地址未发生切换时可将功耗降低99%。当未选通时（低电平有效CE1为高电平，或低电平有效CE2为低电平，或低电平有效BHE与低电平有效BLE同时为高电平），器件可进入待机模式。当满足以下任一条件时，输入输出引脚（I/O0至I/O15）将置于高阻抗状态：未选中状态（低电平有效CE1为高电平或低电平有效CE2为低电平）、输出禁用状态（低电平有效OE为高电平）、高字节使能与低字节使能同时禁用状态（低电平有效BHE、低电平有效BLE为高电平），或写入操作期间（低电平有效CE1为低电平、低电平有效CE2为高电平且低电平有效WE为低电平）。
- 极高速度：55ns
- 2.2V至3.6V宽电压范围
- 最大待机电流为48µA
- 在f=1MHz 时，典型有效电流为 15mA
- 利用低电平有效 CE1、低电平有效 CE2 和低电平有效 OE 功能轻松扩展存储器
- 未选中时自动断电
- CMOS工艺实现最佳速度与功耗
- 数据保持电压VCC为1.5V
- 48-ball FBGA封装
- 工业级工作温度范围：-40°C至+85°C
注释
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
SRAM类型
异步SRAM
记忆配置
4M x 16位
针脚数
48引脚
电源电压最大值
3.7V
时钟频率最大值
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
存储密度
64Mbit
IC 外壳 / 封装
FBGA
电源电压最小值
2.2V
额定电源电压
3V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423245
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002268