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F411MR12W3M1HB11BPSA1
碳化硅MOSFET, FourPack, N通道, 75 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Module
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号F411MR12W3M1HB11BPSA1
库存编号4694659
产品范围EasyPACK Series
也称为F4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号F411MR12W3M1HB11BPSA1
库存编号4694659
产品范围EasyPACK Series
也称为F4-11MR12W3M1H_B11, SP006060405
技术数据表
MOSFET模块配置FourPack
通道类型N通道
电流, Id 连续75A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.016ohm
晶体管封装类型Module
针脚数50引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.15V
功率耗散-
工作温度最高值175°C
产品范围EasyPACK Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
F411MR12W3M1HB11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and PressFIT / NTC. Potential applications include EV charging, energy storage systems (ESS), solar applications, and DC/DC converters.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Overload operation up to 175°C
- Integrated NTC temperature sensor, PressFIT contact technology
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 75A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 95°C
- Repetitive peak drain current is 150A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 10.8mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 75A
- Total gate charge is 0.223µC typ at VDD = 800V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Drain-source leakage current is 0.045µA typ at VDS = 1200V, VGS = -3V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
技术规格
MOSFET模块配置
FourPack
电流, Id 连续
75A
漏源接通状态电阻
0.016ohm
针脚数
50引脚
阈值栅源电压最大值
5.15V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
-
产品范围
EasyPACK Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001