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FF17MR12W1M1HB11BPSA1
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FF17MR12W1M1HB11BPSA1
库存编号4216508
也称为FF17MR12W1M1H_B11, SP005634554
技术数据表
MOSFET模块配置半桥
通道类型双N通道
电流, Id 连续50A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0162ohm
晶体管封装类型Module
针脚数18引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.15V
功率耗散20mW
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
50A
漏源接通状态电阻
0.0162ohm
针脚数
18引脚
阈值栅源电压最大值
5.15V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
20mW
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00063