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FF17MR12W1M1HPB11BPSA1
碳化硅MOSFET, 半桥, 双N通道, 50 A, 1.2 kV, 0.0162 ohm, Module
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 5+ | CNY515.250 (CNY582.2325) |
| 10+ | CNY485.360 (CNY548.4568) |
| 50+ | CNY455.480 (CNY514.6924) |
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技术规格
MOSFET模块配置
半桥
电流, Id 连续
50A
漏源接通状态电阻
0.0162ohm
针脚数
18引脚
阈值栅源电压最大值
5.15V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
双N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
Module
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
20mW
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.00063