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FM25CL64B-G
非易失随机存储器 (NVRAM), FRAM, 64 Kbit, 8K x 8位, SPI, SOIC
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 10+ | CNY21.590 (CNY24.3967) |
| 25+ | CNY20.910 (CNY23.6283) |
| 50+ | CNY18.670 (CNY21.0971) |
| 100+ | CNY18.510 (CNY20.9163) |
| 250+ | CNY18.360 (CNY20.7468) |
| 500+ | CNY18.190 (CNY20.5547) |
| 1000+ | CNY18.030 (CNY20.3739) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM25CL64B-G
库存编号2077755
也称为SP005654165, FM25CL64B-G
技术数据表
存储器类型FRAM
存储器容量64Kbit
NVRAM 内存配置8K x 8位
芯片接口类型SPI
存取时间-
封装类型SOIC
针脚数8引脚
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.65V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
FM25CL64B-G是一款64Kbit (8K×8bit)SPI FRAM (铁电随机存取存储器)器件, 8引脚SOIC封装. 这款非易失性存储器的读写类似于RAM. 提供151年的可靠数据保存, 同时消除了像串行闪存, EEPROM或其他非易失性存储器的复杂性, 系统开销和可靠性问题. 与串行闪存和EEPROM不同, FM25CL64B以总线速度执行写入操作. 不会发生写入延迟. 每个字节成功传输至器件后, 数据会立即被写入存储器. 下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始. 此外, 与其他非易失性存储器相比, 该器件具有优秀的写入耐久性. FM25CL64B为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性的优势, 可作为直接替代品.
- 超长耐久, 100万亿 (10^14)读/写
- 车用级别AEC-Q101合规
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 频率高达20MHz
- 先进的写入保护方案
- 低功率消耗
- 1MHz时, 电流为200μA
- 待机电流为3μA (典型值)
- 低工作电压范围: 2.7V至3.65V
- 工作温度范围为-40°C至+ 85°C
技术规格
存储器类型
FRAM
NVRAM 内存配置
8K x 8位
存取时间
-
针脚数
8引脚
电源电压最大值
3.65V
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
存储器容量
64Kbit
芯片接口类型
SPI
封装类型
SOIC
电源电压最小值
2.7V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Japan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000175