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FM25L16B-G
铁电存储器(FRAM), 16 Kbit(2K x 8)SPI, 20 MHz, 2.7 V至3.6 V电源, SOIC-8
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| 250+ | CNY8.380 (CNY9.4694) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号FM25L16B-G
库存编号2767964
也称为SP005654237, FM25L16B-G
技术数据表
存储密度16Kbit
记忆配置2K x 8位
接口SPI
时钟频率最大值20MHz
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
FM25L16B-G 是一款 16 位（2K × 8）串行（SPI）F-RAM。它是一款采用先进铁电工艺的 16-Kbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 F-RAM 是非易失性存储器，其读写功能与 RAM 相似。它能提供 151 年的可靠数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM 和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25L16B 以总线速度执行写入操作。不会产生写入延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即写入存储器阵列。无需数据轮询，即可开始下一个总线周期。应用包括通用电机驱动器 - 频率和电压可变。
- 电压范围 2.7V 至 3.6V，16Mbit 密度，SPI F-RAM
- 16-Kbit 铁电随机存取存储器 (F-RAM) 逻辑结构为 2K × 8
- 高耐久性 100 万亿次读/写，数据保存 151 年
- No Delay™ 写入，先进的高可靠性铁电工艺
- 直接硬件替代串行闪存和 EEPROM，支持 SPI 模式 0 (0,0) 和模式 3 (1,1)
- 使用写保护（低电平有效 WP）引脚进行硬件保护
- 使用写禁用指令、1/4、1/2 或整个阵列的 S/W 块保护进行 S/W 保护
- VDD 待机电流最大为 3µA（低电平有效，CS=VDD，所有其他输入 VSS 或 VDD
- 输出引脚电容 (SO) 最大为 8pF（TA=25°C，f=1 MHz，VDD=VDD（典型值）
- 8 引脚 SOIC 封装，工业工作温度范围为 -40 至 +85°C
技术规格
存储密度
16Kbit
接口
SPI
电源电压最小值
2.7V
IC 外壳 / 封装
SOIC
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
MSL
MSL 3 - 168小时
记忆配置
2K x 8位
时钟频率最大值
20MHz
电源电压最大值
3.6V
针脚数
8引脚
工作温度最小值
-40°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
FM25L16B-G 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423290
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.010659