打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
产品概述
IAUAN04S7N004AUMA1 is a 40V, N-channel OptiMOS power MOSFET for automotive applications.
- Drain-source on-state resistance RDS(on) is 0.39mohm
- Extended qualification beyond AEC-Q101
- Enhanced electrical testing
- Robust design
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
- Available in a 5 pin HSOF package
技术规格
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
390µohm
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
5引脚
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
电流, Id 连续
280A
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000028