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产品概述
IAUC120N04S6N009ATMA1 是 OptiMOS™- 6 功率晶体管。
- OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强模式 - 正常电平
- AEC Q101合规
- 175°C工作温度
- 100%经过雪崩测试
- PG-TDSON-8封装
- 在GS=0V，I D=1mA时，漏源击穿电压为 40V
- 在V GS=7V，I D=60A时，漏源导通电阻典型值为 0.95 ohm
- 在 Tc=25°C 和 VGS=10V 时，漏极连续电流为 120A
- 工作和存储温度范围为 -55 至 +175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
750µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS-6
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001