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IAUC60N04S6N031HATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0031 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUC60N04S6N031HATMA1
库存编号3648085RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为IAUC60N04S6N031H, SP003863382
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUC60N04S6N031HATMA1
库存编号3648085RL
产品范围OptiMOS 6 Series
也称为IAUC60N04S6N031H, SP003863382
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续60A
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道60A
在电阻RDS（上）0.0024ohm
连续漏极电流 Id P沟道60A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0031ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道-
阈值栅源电压最大值2.6V
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
功耗 Pd75W
耗散功率N沟道75W
耗散功率P沟道75W
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 6 Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
40V
电流, Id 连续
60A
连续漏极电流 Id N沟道
60A
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.0031ohm
漏源导通电阻P沟道
-
晶体管封装类型
TDSON
功耗 Pd
75W
耗散功率P沟道
75W
产品范围
OptiMOS 6 Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
40V
漏源电压Vds P沟道
40V
在电阻RDS（上）
0.0024ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.6V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
75W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001