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IAUCN04S7N040DATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 60 A, 0.00404 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY7.000 (CNY7.910) |
| 100+ | CNY5.450 (CNY6.1585) |
| 500+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
| 1000+ | CNY3.550 (CNY4.0115) |
| 5000+ | CNY3.420 (CNY3.8646) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUCN04S7N040DATMA1
库存编号4551026
产品范围OptiMOS Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.00404ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道51W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
0.00404ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
51W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001