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IAUCN10S5L280DATMA1
双路场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 20 A, 0.028 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.290 (CNY11.6277) |
| 10+ | CNY7.140 (CNY8.0682) |
| 100+ | CNY5.810 (CNY6.5653) |
| 500+ | CNY5.330 (CNY6.0229) |
| 1000+ | CNY4.590 (CNY5.1867) |
| 5000+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUCN10S5L280DATMA1
库存编号4551030
产品范围OptiMOS Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道20A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.028ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型TDSON
针脚数8引脚
耗散功率N沟道38W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS Series
合规AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
OptiMOS Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压Vds N沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
20A
漏源通态电阻N沟道
0.028ohm
晶体管封装类型
TDSON
耗散功率N沟道
38W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Austria
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001