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IAUT240N08S5N019ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 240 A, 1900 µohm, HSOF, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUT240N08S5N019ATMA1
库存编号2888478RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为IAUT240N08S5N019, SP001685094
技术数据表
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IAUT240N08S5N019ATMA1
库存编号2888478RL
产品范围OptiMOS 5 Series
也称为IAUT240N08S5N019, SP001685094
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续240A
漏源接通状态电阻1900µohm
晶体管封装类型HSOF
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.8V
功率耗散230W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 5 Series
合规AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™-5 power-transistor
- N-channel - enhancement mode
- AEC qualified
- Ultra low Rds(on), 100% avalanche tested
- Continuous drain current is 240A (T C=25°C, V GS=10V)
- Avalanche current, single pulse is 240A (T j=25°C)
- Gate source voltage is ±20V (T j=25°C)
- Drain-source on-state resistance is 2.0mohm (typ, GS=6V, I D=60A)
- 80V drain-source breakdown voltage (VGS=0V, ID=1mA)
- P/G-HSOF-8-1 package, operating and storage temperature range from -55 to +175°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
240A
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
230W
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
1900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.8V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 5 Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001