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IDDD20G65C6XTMA1
二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V, 单, 650 V, 51 A, 26.8 nC, HDSOP
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IDDD20G65C6XTMA1
库存编号2895608RL
产品范围CoolSiC 6G 650V
也称为IDDD20G65C6, SP001679796
技术数据表
产品范围CoolSiC 6G 650V
二极管配置单
反向重复峰值电压650V
平均正向电流51A
总电容充电26.8nC
二极管封装类型HDSOP
引脚数10引脚
工作温度最高值175°C
二极管安装表面安装
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The CoolSiC™ generation G6 is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The G6 is an advancement of Infineon's G5 technology with the introduction of a novel Schottky metal system. The CoolSiC™ Schottky diode G6 has been designed to complement our 600V and 650V CoolMOS™ 7 families, meeting the most stringent application requirements in this voltage range. Offering key benefits such as System cost and size savings due to the reduced cooling requirements as well as enabling higher frequency and increased power density.
技术规格
产品范围
CoolSiC 6G 650V
反向重复峰值电压
650V
总电容充电
26.8nC
引脚数
10引脚
二极管安装
表面安装
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
二极管配置
单
平均正向电流
51A
二极管封装类型
HDSOP
工作温度最高值
175°C
合规
-
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005