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IGB20N60H3ATMA1
IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 引脚
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| 10+ | CNY10.680 (CNY12.0684) |
| 100+ | CNY7.850 (CNY8.8705) |
| 500+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 1000+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 5000+ | CNY5.630 (CNY6.3619) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IGB20N60H3ATMA1
库存编号2839419
产品范围TRENCHSTOP
也称为IGB20N60H3, SP000852232
技术数据表
连续集电极电流40A
集电极-发射极饱和电压1.95V
功率耗散170W
最大集电极发射电压600V
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装表面安装
产品范围TRENCHSTOP
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
High speed IGBT in Trench and fieldstop technology suitable for use in uninterruptible power supplies, welding converters and converters with high switching frequency.
- TRENCHSTOP™ technology offering very low turn-off energy
- Low VCEsat and low EMI
- Qualified according to JEDEC for target applications
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
连续集电极电流
40A
功率耗散
170W
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
工作温度最高值
175°C
产品范围
TRENCHSTOP
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极-发射极饱和电压
1.95V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
表面安装
MSL
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001