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IGT60R190D1ATMA1
氮化镓 (GaN)晶体管, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY36.320 (CNY41.0416) |
| 100+ | CNY31.960 (CNY36.1148) |
| 500+ | CNY29.330 (CNY33.1429) |
| 1000+ | CNY26.460 (CNY29.8998) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IGT60R190D1ATMA1
库存编号4220238RL
产品范围CoolGaN Series
技术数据表
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.14ohm
栅极电荷(典型值)3.2nC
晶体管封装类型PG-HSOF-8-3
晶体管安装表面安装
针脚数8引脚
产品范围CoolGaN Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.14ohm
晶体管封装类型
PG-HSOF-8-3
针脚数
8引脚
合规
-
电流, Id 连续
12A
栅极电荷(典型值)
3.2nC
晶体管安装
表面安装
产品范围
CoolGaN Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001