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IKW30N60H3FKSA1
IGBT, 30 A, 2.4 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IKW30N60H3FKSA1
库存编号1832342
也称为IKW30N60H3, SP000703042
技术数据表
连续集电极电流30A
集电极-发射极饱和电压2.4V
功率耗散187W
最大集电极发射电压600V
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
晶体管安装通孔
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IKW30N60H3 is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel diode designed specifically to replace planar MOSFETs in applications switching at frequencies below 70kHz. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behaviour and thus leading to low turn off losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Low switching losses for high efficiency
- Fast switching behaviour with low EMI emissions
- Low gate resistor selection possible (down to 5Ω) whilst maintaining excellent switching behaviour
- Short circuit capability
- Excellent performance
- Low switching and conduction losses
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
连续集电极电流
30A
功率耗散
187W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极-发射极饱和电压
2.4V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00542