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产品概述
IKW75N60T是一款600V IGBT, 带有软快速恢复反并联发射极控制二极管。 TRENCHSTOP™ IGBT技术采用沟槽顶部单元和场停止概念, ,显着提高了器件的静态和动态性能。IGBT配合软恢复发射极控制二极管, 降低导通损耗。该器件平衡了开关损耗和传导损耗, 达到最高的效率。 IGBT是硬开关应用, 软开关应用, 以及其他谐振应用的理想选择。
- 低Vce (sat)压降, 降低传导损耗
- 低开关损耗
- 并行开关能力, Vce (sat)正温度系数
- 高耐用性, 温度稳定性能
- 低EMI辐射
- 低栅极电荷
- 非常严格的参数
- 高效率
- 低传导和开关损耗
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
连续集电极电流
80A
功率耗散
428W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极-发射极饱和电压
2V
最大集电极发射电压
600V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
湿气敏感性等级
-
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找到 3 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.012701