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IMBG120R026M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
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| 5+ | CNY80.620 (CNY91.1006) |
| 10+ | CNY67.730 (CNY76.5349) |
| 50+ | CNY65.230 (CNY73.7099) |
| 100+ | CNY62.720 (CNY70.8736) |
| 250+ | CNY61.480 (CNY69.4724) |
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
75A
漏源接通状态电阻
0.0254ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
335W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001