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IMBG120R030M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 56 A, 1.2 kV, 0.041 ohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R030M1HXTMA1
库存编号3582461
产品范围CoolSiC Series
也称为IMBG120R030M1H, SP004463784
技术数据表
837 有货
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837 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY114.400 (CNY129.272) |
| 5+ | CNY96.370 (CNY108.8981) |
| 10+ | CNY78.340 (CNY88.5242) |
| 50+ | CNY75.550 (CNY85.3715) |
| 100+ | CNY72.740 (CNY82.1962) |
| 250+ | CNY71.290 (CNY80.5577) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY114.40 (CNY129.27 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R030M1HXTMA1
库存编号3582461
产品范围CoolSiC Series
也称为IMBG120R030M1H, SP004463784
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续56A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.041ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.7V
功率耗散300W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IMBG120R030M1HXTMA1是一款采用.XT互连技术的CoolSiC™ 1200V碳化硅沟槽MOSFET。典型应用涵盖驱动器、基础设施（充电器）、能源生成（太阳能组串逆变器与太阳能优化器）及工业电源（工业UPS）。
- 直流漏极电流为56A，漏源导通电阻为30mohm（VGS=18V，ID=25A，Tvj=25°C）
- 极低的开关损耗
- 短路耐受时间 3µs
- 可完全控制的dV/dt特性
- 基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5V
- 可防止寄生导通，栅极关断电压为 0V
- 坚固的体二极管可实现硬换向
- 封装爬电距离和间隙距离大于6.1mm
- 优化开关性能的检测引脚
- 采用 7 引脚 TO-263 封装
警告
市场对该产品的需求导致交货期延长。交货日期可能会有变动。产品不享受折扣。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
56A
漏源接通状态电阻
0.041ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.7V
工作温度最高值
175°C
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
300W
产品范围
CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001959