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制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R030M1HXTMA1
库存编号3582461
产品范围CoolSiC Series
也称为IMBG120R030M1H, SP004463784
技术数据表
1,039 有货
需要更多?
1039 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
数量 | 价钱 (含税) |
---|---|
1+ | CNY108.700 (CNY122.831) |
5+ | CNY94.010 (CNY106.2313) |
10+ | CNY79.320 (CNY89.6316) |
50+ | CNY74.110 (CNY83.7443) |
100+ | CNY68.900 (CNY77.857) |
250+ | CNY63.670 (CNY71.9471) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
CNY108.70 (CNY122.83 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R030M1HXTMA1
库存编号3582461
产品范围CoolSiC Series
也称为IMBG120R030M1H, SP004463784
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续56A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.041ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.7V
功率耗散300W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IMBG120R030M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical application includes drives, infrastructure – charger, energy generation - solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies - industrial UPS.
- DC drain current is 56A, drain-source on-state resistance is 30mohm(VGS = 18V, ID = 25A, Tvj = 25°C)
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance greater than 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Available in 7 pin TO-263 package
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
56A
漏源接通状态电阻
0.041ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.7V
工作温度最高值
175°C
MSL
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
300W
产品范围
CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001959