打印页面
IMBG120R078M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 29 A, 1.2 kV, 0.0781 ohm, TO-263HV
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
包装选项
772 有货
需要更多？
772 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 10+ | CNY35.940 (CNY40.6122) |
| 100+ | CNY26.250 (CNY29.6625) |
| 500+ | CNY25.770 (CNY29.1201) |
| 1000+ | CNY25.290 (CNY28.5777) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 10
多件: 1
CNY359.40 (CNY406.12 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R078M2HXTMA1
库存编号4376965RL
也称为IMBG120R078M2H, SP005825855
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续29A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0781ohm
晶体管封装类型TO-263HV
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散158W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
29A
漏源接通状态电阻
0.0781ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
158W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001