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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R140M1HXTMA1
库存编号3582465
也称为IMBG120R140M1H, SP004463792
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续18A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.189ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.7V
功率耗散107W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench Series
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IMBG120R140M1HXTMA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET with .XT interconnection technology. Typical applications include drives, infrastructure – charger, energy generation solar string inverter and solar optimizer and industrial power supplies-industrial UPS.
- Very low switching losses
- Short circuit withstand time 3µs
- Fully controllable dV/dt
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- Package creepage and clearance distance <gt/> 6.1mm
- Sense pin for optimized switching performance
- Efficiency improvement, enabling higher frequency and increased power density
- Cooling effort reduction and reduction of system complexity and cost
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
18A
漏源接通状态电阻
0.189ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.7V
工作温度最高值
175°C
MSL
MSL 1 -无限制
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
107W
产品范围
CoolSiC Trench Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001588