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IMBG120R181M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 14.9 A, 1.2 kV, 0.1814 ohm, TO-263HV
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG120R181M2HXTMA1
库存编号4376967
也称为IMBG120R181M2H, SP005825859
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续14.9A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.1814ohm
晶体管封装类型TO-263HV
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散94W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Gen 2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
14.9A
漏源接通状态电阻
0.1814ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-263HV
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
94W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001