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IMBG40R011M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY101.720 (CNY114.9436) |
| 5+ | CNY95.660 (CNY108.0958) |
| 10+ | CNY89.600 (CNY101.248) |
| 50+ | CNY85.350 (CNY96.4455) |
| 100+ | CNY81.080 (CNY91.6204) |
| 250+ | CNY79.470 (CNY89.8011) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG40R011M2HXTMA1
库存编号4538818
也称为IMBG40R011M2H, SP005976260
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续133A
漏源电压, Vds400V
漏源接通状态电阻0.0144ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散429W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IMBG40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 133A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
133A
漏源接通状态电阻
0.0144ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
400V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
429W
产品范围
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001