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IMBG40R036M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 50 A, 400 V, 0.0457 ohm, TO-263
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG40R036M2HXTMA1
库存编号4538822
也称为IMBG40R036M2H, SP006064679
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续50A
漏源电压, Vds400V
漏源接通状态电阻0.0457ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散167W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IMBG40R036M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 36.4mohm RDS(on), 50A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
50A
漏源接通状态电阻
0.0457ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
400V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
167W
产品范围
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001