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IMBG65R007M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 238 A, 650 V, 6100 µohm, TO-263 (D2PAK)
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
| 10+ | CNY159.420 (CNY180.1446) |
| 50+ | CNY159.010 (CNY179.6813) |
| 100+ | CNY158.600 (CNY179.218) |
| 250+ | CNY155.430 (CNY175.6359) |
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多件: 1
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产品概述
IMBG65R007M2HXTMA1 是一款采用 7 引脚 TO-263 封装的 CoolSiC MOSFET。650V CoolSiC™ MOSFET 基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术，具有无与伦比的性能、卓越的可靠性和极大的易用性。它实现了高性价比、高效率和简化设计，以满足不断增长的系统和市场需求。典型应用包括 SMPS、太阳能光伏逆变器、储能和电池组件、UPS、电动汽车充电基础设施和电机驱动器。
- 超低开关损耗
- 基准栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5V
- 即使在关断栅极电压为 0V 的情况下，也能有效防止寄生导通
- 驱动电压灵活，与双极驱动方案兼容
- 硬换向事件下的稳健体二极管运行
- 实现高效率和高功率密度设计
- 易于使用和集成
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
238A
漏源接通状态电阻
6100µohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
789W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001