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IMBG65R040M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 49 A, 650 V, 0.036 ohm, TO-263
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY60.230 (CNY68.0599) |
| 5+ | CNY50.700 (CNY57.291) |
| 10+ | CNY41.170 (CNY46.5221) |
| 50+ | CNY37.030 (CNY41.8439) |
| 100+ | CNY32.880 (CNY37.1544) |
| 250+ | CNY32.230 (CNY36.4199) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY60.23 (CNY68.06 含税)
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
49A
漏源接通状态电阻
0.036ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
197W
产品范围
CoolSiC Gen 2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001