打印页面
IMBG65R048M1HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 45 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-263
8 有货
需要更多？
8 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY68.480 (CNY77.3824) |
| 5+ | CNY57.390 (CNY64.8507) |
| 10+ | CNY46.300 (CNY52.319) |
| 50+ | CNY41.300 (CNY46.669) |
| 100+ | CNY36.300 (CNY41.019) |
| 250+ | CNY36.230 (CNY40.9399) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY68.48 (CNY77.38 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMBG65R048M1HXTMA1
库存编号3928616
也称为SP005539172, IMBG65R048M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续45A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.048ohm
晶体管封装类型TO-263
针脚数7引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散183W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
45A
漏源接通状态电阻
0.048ohm
针脚数
7引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
175°C
MSL
-
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-263
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
183W
产品范围
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588