打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMCQ120R078M2HXTMA1
库存编号4695759
产品范围CoolSiC Series
也称为IMCQ120R078M2H, SP005974971
技术数据表
522 有货
需要更多?
522 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY50.700 (CNY57.291) |
| 10+ | CNY42.200 (CNY47.686) |
| 100+ | CNY35.620 (CNY40.2506) |
| 500+ | CNY32.690 (CNY36.9397) |
| 1000+ | CNY30.470 (CNY34.4311) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
多件: 1
CNY50.70 (CNY57.29 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMCQ120R078M2HXTMA1
库存编号4695759
产品范围CoolSiC Series
也称为IMCQ120R078M2H, SP005974971
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续31A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.0781ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数22引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.1V
功率耗散176W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IMCQ120R078M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 22A at TC = 100°C
- RDS(on) = 78.1mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
31A
漏源接通状态电阻
0.0781ohm
针脚数
22引脚
阈值栅源电压最大值
5.1V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
176W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00001