打印页面
IMLT65R026M2HXTMA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 82 A, 650 V, 0.033 ohm, HDSOP
249 有货
需要更多？
249 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY83.710 (CNY94.5923) |
| 5+ | CNY78.600 (CNY88.818) |
| 10+ | CNY73.480 (CNY83.0324) |
| 50+ | CNY68.520 (CNY77.4276) |
| 100+ | CNY63.550 (CNY71.8115) |
| 250+ | CNY61.600 (CNY69.608) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY83.71 (CNY94.59 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMLT65R026M2HXTMA1
库存编号4573827
也称为IMLT65R026M2H, SP005969467
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续82A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.033ohm
晶体管封装类型HDSOP
针脚数16引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.6V
功率耗散365W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC G2 Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
82A
漏源接通状态电阻
0.033ohm
针脚数
16引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HDSOP
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
365W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001