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IMT65R039M1HXUMA1
碳化硅MOSFET, N通道, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMT65R039M1HXUMA1
库存编号4228383RL
也称为IMT65R039M1H, SP005716838
技术数据表
MOSFET模块配置-
通道类型N通道
电流, Id 连续61A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.039ohm
晶体管封装类型HSOF
针脚数8引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.7V
功率耗散263W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
61A
漏源接通状态电阻
0.039ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
5.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
263W
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001