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IMT65R048M1HXUMA1
碳化硅MOSFET, N通道, 50 A, 650 V, 0.048 ohm, HSOF
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY70.260 (CNY79.3938) |
| 5+ | CNY59.200 (CNY66.896) |
| 10+ | CNY48.140 (CNY54.3982) |
| 50+ | CNY42.590 (CNY48.1267) |
| 100+ | CNY37.020 (CNY41.8326) |
| 250+ | CNY36.280 (CNY40.9964) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY70.26 (CNY79.39 含税)
品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
-
电流, Id 连续
50A
漏源接通状态电阻
0.048ohm
针脚数
8引脚
阈值栅源电压最大值
5.7V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
HSOF
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
227W
产品范围
CoolSiC Trench Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001