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| 5+ | CNY77.850 (CNY87.9705) |
| 10+ | CNY65.710 (CNY74.2523) |
| 50+ | CNY60.300 (CNY68.139) |
| 100+ | CNY56.200 (CNY63.506) |
| 250+ | CNY55.080 (CNY62.2404) |
包装规格:单件(切割供应)
最低: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
79A
漏源接通状态电阻
0.024ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
LHSOF
Rds(on)测试电压
20V
功率耗散
357W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000001