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IMW120R007M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW120R007M1HXKSA1
库存编号3958239
产品范围CoolSiC Trench系列
也称为SP005425447, IMW120R007M1H
技术数据表
141 有货
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141 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY352.520 (CNY398.3476) |
| 5+ | CNY333.710 (CNY377.0923) |
| 10+ | CNY314.900 (CNY355.837) |
| 50+ | CNY296.090 (CNY334.5817) |
| 100+ | CNY277.280 (CNY313.3264) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY352.52 (CNY398.35 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW120R007M1HXKSA1
库存编号3958239
产品范围CoolSiC Trench系列
也称为SP005425447, IMW120R007M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续225A
漏源电压, Vds1.2kV
漏源接通状态电阻0.007ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.2V
功率耗散750W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Trench系列
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
225A
漏源接通状态电阻
0.007ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.2V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
1.2kV
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
750W
产品范围
CoolSiC Trench系列
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004