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IMW65R033M2HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 53 A, 650 V, 0.041 ohm, TO-247
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| 5+ | CNY72.480 (CNY81.9024) |
| 10+ | CNY63.620 (CNY71.8906) |
| 50+ | CNY58.330 (CNY65.9129) |
| 100+ | CNY53.020 (CNY59.9126) |
| 250+ | CNY47.200 (CNY53.336) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
53A
漏源接通状态电阻
0.041ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
5.6V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
194W
产品范围
CoolSiC G2 Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.008546