打印页面
IMW65R072M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
36 有货
需要更多？
36 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY55.930 (CNY63.2009) |
| 10+ | CNY48.890 (CNY55.2457) |
| 100+ | CNY41.860 (CNY47.3018) |
| 500+ | CNY34.820 (CNY39.3466) |
| 1000+ | CNY27.770 (CNY31.3801) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY55.93 (CNY63.20 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMW65R072M1HXKSA1
库存编号3500945
产品范围CoolSiC M1
也称为IMW65R072M1H, SP005398438
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续26A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.072ohm
晶体管封装类型TO-247
针脚数3引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值4.5V
功率耗散96W
工作温度最高值150°C
产品范围CoolSiC M1
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
26A
漏源接通状态电阻
0.072ohm
针脚数
3引脚
阈值栅源电压最大值
4.5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
晶体管封装类型
TO-247
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
96W
产品范围
CoolSiC M1
技术文档 (1)
相关产品
找到 4 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001