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IMYH200R024M1HXKSA1
碳化硅MOSFET, 单, N通道, 89 A, 2 kV, 0.033 ohm, TO-247 Plus
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IMYH200R024M1HXKSA1
库存编号4335360
产品范围CoolSiC Series
也称为SP005745284, IMYH200R024M1H
技术数据表
87 有货
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87 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY323.590 (CNY365.6567) |
| 5+ | CNY312.530 (CNY353.1589) |
| 10+ | CNY301.480 (CNY340.6724) |
| 50+ | CNY290.420 (CNY328.1746) |
| 100+ | CNY279.350 (CNY315.6655) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY323.59 (CNY365.66 含税)
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IMYH200R024M1HXKSA1
库存编号4335360
产品范围CoolSiC Series
也称为SP005745284, IMYH200R024M1H
技术数据表
MOSFET模块配置单
通道类型N通道
电流, Id 连续89A
漏源电压, Vds2kV
漏源接通状态电阻0.033ohm
晶体管封装类型TO-247 Plus
针脚数4引脚
Rds(on)测试电压18V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散576W
工作温度最高值175°C
产品范围CoolSiC Series
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
MOSFET模块配置
单
电流, Id 连续
89A
漏源接通状态电阻
0.033ohm
针脚数
4引脚
阈值栅源电压最大值
5.5V
工作温度最高值
175°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
2kV
晶体管封装类型
TO-247 Plus
Rds(on)测试电压
18V
功率耗散
576W
产品范围
CoolSiC Series
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000002