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IPA086N10N3GXKSA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 45 A, 8600 µohm, TO-220FP, 通孔
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPA086N10N3GXKSA1
库存编号2480793
也称为IPA086N10N3 G, SP000485984
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续45A
漏源接通状态电阻8600µohm
晶体管封装类型TO-220FP
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散37.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- 100V, Optima's™ 3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Fully isolated package (2500VAC, 1 minute)
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
37.5W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
8600µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
IPA086N10N3GXKSA1 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002008