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IPA65R190C7XKSA1

Name: 功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, 通孔
Brand: INFINEON
SKU: 2420509
Availability: InStock

功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 8 A, 0.168 ohm, TO-220FP, 通孔

图片仅用于图解说明，详见产品说明。

制造商INFINEON

制造商产品编号IPA65R190C7XKSA1

库存编号2420509

也称为IPA65R190C7, SP001080140

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产品信息

制造商INFINEON

制造商产品编号IPA65R190C7XKSA1

库存编号2420509

也称为IPA65R190C7, SP001080140

技术数据表

Data Sheet

通道类型N通道

漏源电压, Vds650V

电流, Id 连续8A

漏源接通状态电阻0.168ohm

晶体管封装类型TO-220FP

晶体管安装通孔

Rds(on)测试电压10V

阈值栅源电压最大值3.5V

功率耗散30W

针脚数3引脚

工作温度最高值150°C

产品范围-

合规-

MSL-

SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)

产品概述

The IPA65R190C7 is a N-channel power MOSFET with 650VDS drain source voltage. Infineon's new CoolMOS™ C7 series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds' lowest RDS (ON) and thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.

Revolutionary Best-in-class RDS (ON)
Reduced energy stored in output capacitance (Eoss)
Lower gate charge Qg
Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
Improved safety margin and suitable for both SMPS and Solar Inverter applications
Lowest conduction losses/package
Low switching losses
Better light load efficiency
Increasing power density
Outstanding CoolMOS™ quality

技术规格

通道类型

N通道

电流, Id 连续

晶体管封装类型

TO-220FP

Rds(on)测试电压

10V

功率耗散

30W

工作温度最高值

150°C

合规

SVHC(高度关注物质)

No SVHC (21-Jan-2025)

漏源电压, Vds

650V

漏源接通状态电阻

0.168ohm

晶体管安装

通孔

阈值栅源电压最大值

3.5V

针脚数

3引脚

产品范围

MSL

技术文档 (1)

Technical Data Sheet EN