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IPB027N10N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 120 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB027N10N3GATMA1
库存编号2443379
也称为IPB027N10N3 G, SP000506508
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻0.0023ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散300W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPB027N10N3 G是一款OptiMOS™ N沟道功率MOSFET, 为高效率, 高功率密度SMPS提供卓越的解决方案。与现有技术相比, 该系列在RDS (ON)与FOM方面均降低了30％。
- 优秀的开关性能
- 业界最低的RDS (ON)
- 极低的Qg与Qgd
- 优秀的栅极电荷 x RDS (ON)产品 (FOM)
- 环保型
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 产品易于设计
- 无卤素, 绿色设备
- MSL1 rated 2
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0023ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00181