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IPB144N12N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.050 (CNY21.5265) |
| 10+ | CNY14.120 (CNY15.9556) |
| 100+ | CNY11.290 (CNY12.7577) |
| 500+ | CNY9.490 (CNY10.7237) |
| 1000+ | CNY9.310 (CNY10.5203) |
| 5000+ | CNY9.110 (CNY10.2943) |
包装规格：单件（切割供应）
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB144N12N3GATMA1
库存编号2480804
也称为IPB144N12N3 G, SP000694166
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds120V
电流, Id 连续41A
漏源接通状态电阻0.0123ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散107W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPB144N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Qualified according to JEDE for target applications
- Halogen-free, Green device
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Normal level
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
41A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
107W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
120V
漏源接通状态电阻
0.0123ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143