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IPB60R125C6ATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 10+ | CNY33.210 (CNY37.5273) |
| 100+ | CNY26.890 (CNY30.3857) |
| 500+ | CNY24.620 (CNY27.8206) |
| 1000+ | CNY20.950 (CNY23.6735) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB60R125C6ATMA1
库存编号1860816
产品范围CoolMOS C6
也称为IPB60R125C6, SP000687456
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds600V
电流, Id 连续30A
漏源接通状态电阻0.11ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散219W
针脚数2引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS C6
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
30A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
219W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
600V
漏源接通状态电阻
0.11ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
2引脚
产品范围
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143