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IPB60R125CPATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY44.630 (CNY50.4319) |
| 10+ | CNY38.230 (CNY43.1999) |
| 100+ | CNY31.870 (CNY36.0131) |
| 500+ | CNY28.120 (CNY31.7756) |
| 1000+ | CNY27.560 (CNY31.1428) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB60R125CPATMA1
库存编号1664016
产品范围CoolMOS Series
也称为IPB60R125CP, SP000297368
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续25A
漏源接通状态电阻0.125ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散208W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPB60R125CPATMA1 is a IPB60R125CP CoolMOS™ power transistor this CoolMOS™ CP is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Lowest figure-of-merit RONxQg
- Ultra-low gate charge
- Extreme dv/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 25A continuous drain current at TC = 25°C
- 82A pulsed drain current at TC = 25°C
- 208W power dissipation at TC = 25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Gate threshold voltage(V GS(th) ) of 3.5V
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
25A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
208W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143