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IPB65R045C7ATMA2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 46 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY71.610 (CNY80.9193) |
| 5+ | CNY60.960 (CNY68.8848) |
| 10+ | CNY50.310 (CNY56.8503) |
| 50+ | CNY43.930 (CNY49.6409) |
| 100+ | CNY37.540 (CNY42.4202) |
| 250+ | CNY36.800 (CNY41.584) |
包装规格：单件（切割供应）
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB65R045C7ATMA2
库存编号3223389
产品范围CoolMOS C7
也称为IPB65R045C7, SP002447548
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续46A
漏源接通状态电阻0.04ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散227W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS C7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
46A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
227W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.04ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143