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IPB65R065C7ATMA2
功率场效应管, MOSFET, N通道, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY46.150 (CNY52.1495) |
| 10+ | CNY31.740 (CNY35.8662) |
| 100+ | CNY28.000 (CNY31.640) |
| 500+ | CNY26.510 (CNY29.9563) |
| 1000+ | CNY25.020 (CNY28.2726) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB65R065C7ATMA2
库存编号3703511
产品范围CoolMOS C7
也称为IPB65R065C7, SP002447554
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds650V
电流, Id 连续33A
漏源接通状态电阻0.058ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3.5V
功率耗散171W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围CoolMOS C7
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
33A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
171W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
650V
漏源接通状态电阻
0.058ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.5V
针脚数
3引脚
产品范围
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002