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IPD023N03LF2SATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 137 A, 0.00235 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 10+ | CNY6.190 (CNY6.9947) |
| 100+ | CNY4.810 (CNY5.4353) |
| 500+ | CNY4.070 (CNY4.5991) |
| 1000+ | CNY3.710 (CNY4.1923) |
| 5000+ | CNY3.330 (CNY3.7629) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD023N03LF2SATMA1
库存编号4573811
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续137A
漏源接通状态电阻0.00235ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.35V
功率耗散107W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围StrongIRFET 2 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
137A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
107W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.00235ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.35V
针脚数
3引脚
产品范围
StrongIRFET 2 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:稍后通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001