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IPD031N03LGATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 90 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
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| 100+ | CNY3.990 (CNY4.5087) |
| 500+ | CNY3.740 (CNY4.2262) |
| 1000+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 5000+ | CNY3.370 (CNY3.8081) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD031N03LGATMA1
库存编号1775565
也称为IPD031N03L G, SP000680554
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续90A
漏源接通状态电阻0.0031ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散94W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The IPD031N03L G is a 30V N-channel Power MOSFET for switched mode power supplies (SMPS). OptiMOS™ 30V MOSFET sets new standards in power density and energy efficiency. This is tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behaviour as well as increased battery life.
- Fast switching MOSFET
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behaviour making external snubber networks obsolete
- Saving space
- Reducing power losses
- Superior thermal resistance
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
90A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
94W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0031ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD031N03LGATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000381