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IPD042P03L3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, AEC-Q101, P通道, 30 V, 70 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPD042P03L3GATMA1
库存编号2803390
也称为IPD042P03L3 G, SP001127836
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续70A
漏源接通状态电阻0.0042ohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散150W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
- OptiMOS™ 3 power-transistor
- Single P-channel (logic level)
- Enhancement mode
- Qualified according to JEDEC for target application
- 175°C operating temperature
- Applications: load switch, HS-switch
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
70A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0042ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IPD042P03L3GATMA1 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000426