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IPD082N10N3GATMA1

Name: 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
Brand: INFINEON
SKU: 2709872RL
Availability: InStock

功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 80 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), 表面安装

图片仅用于图解说明，详见产品说明。

制造商INFINEON

制造商产品编号IPD082N10N3GATMA1

库存编号2709872RL

产品范围OptiMOS 3

也称为IPD082N10N3 G, SP001127824

技术数据表

Data Sheet

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数量	价钱 (含税)
100+	CNY6.620 (CNY7.4806)
500+	CNY6.510 (CNY7.3563)
1000+	CNY6.400 (CNY7.232)

包装规格：单件（切割供应）

最低: 100

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产品信息

制造商INFINEON

制造商产品编号IPD082N10N3GATMA1

库存编号2709872RL

产品范围OptiMOS 3

也称为IPD082N10N3 G, SP001127824

技术数据表

Data Sheet

通道类型N通道

漏源电压, Vds100V

电流, Id 连续80A

漏源接通状态电阻0.007ohm

晶体管封装类型TO-252 (DPAK)

晶体管安装表面安装

Rds(on)测试电压10V

阈值栅源电压最大值2.7V

功率耗散125W

针脚数3引脚

工作温度最高值175°C

产品范围OptiMOS 3

合规-

MSLMSL 1 -无限制

SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)

产品概述

OptiMOS™3 功率晶体管
N沟道, 普通电平
出色的栅极电荷 x RDS(on)乘积(FOM)
极低导通电阻R DS (on)
目标应用符合JEDEC标准
适用于高频开关和同步整流应用

警告

该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。

技术规格

通道类型

N通道

电流, Id 连续

80A

晶体管封装类型

TO-252 (DPAK)

Rds(on)测试电压

10V

功率耗散

125W

工作温度最高值

175°C

合规

SVHC(高度关注物质)

No SVHC (21-Jan-2025)

漏源电压, Vds

100V

漏源接通状态电阻

0.007ohm

晶体管安装

表面安装

阈值栅源电压最大值

2.7V

针脚数

3引脚

产品范围

OptiMOS 3

MSL

MSL 1 -无限制

技术文档 (2)

Simulation Model EN

Technical Data Sheet EN